F510/F530 是工业级电子盘的理想选择,该系列具有三大特性:高速、耐久、稳定。
1)高速。具有高速缓存级别的读写性能,最高读写性能可达550MB/s;
2)可靠。不会因为盘中的数据增多或反复擦写而出现读写性能明显下降,性能持续耐久;
3)稳定。连续读写整个盘的LBA 地址空间,速度基本无波动。非常适合应用在长时间连续数据流采集记录的应用场合。
F530 系列产品提供掉电保护功能,可以在外部突然掉电的情况下,将盘缓存中的数据能安全保存至NAND Flash 中,确保数据不丢失。特别适合黑匣子等关键设备存储应用。
F510 与F530 主要技术参数相同。F530 实测的持续读写性能更高;高速持续写速率几乎没有波动;IOPS 随机写性能是F510 的2 倍以上。适合用于苛刻环境存储应用。
• 标准 2.5" 规格,SATA III 6Gbps 接口,兼容SATA I/II
• 最大读速度为550 MB/s,最大写速度为520 MB/s
• 采用MLC NAND Flash,最大存储容量480GB
• DuraClass 技术,延长寿命,提高稳定性及数据完整性
• RAISE ™ (Redundant Array of Independent Silicon Elements)
• 超级寿命均衡技术,智能坏块管理技术
• 数据、元数据、固件区多级ECC/EDC 检纠错功能
• S.M.A.R.T. command transport (SCT) 技术
• AES-128/AES-256 数据加密
• 掉电保护及写保护( 仅CFD-SATA25F530 支持)
• 提供-55℃ ~+85℃温度军品级产品
性能参数 |
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接口 |
SATA III 6Gbps接口,兼容SATAI/II |
规格 |
标准2.5"规格 |
存储容量 |
MLC NAND Flash最大480GB存储容量 |
SLC NAND Flash最大240GB存储容量 |
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读写速度 |
最大持续读550MB/s(@8Mblocks);最大持续写520MB/s(@8M blocks) |
IOPS | 读60,000@4K;写60,000@4K |
ECC纠错 |
55bits/512-byte |
掉电保护 |
支持 |
写保护 |
不支持 |
电气特性 |
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输入电压 |
﹢5V |
功耗 |
静态<0.5W;动态 <2.5W |
环境参数 |
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工作温度 |
﹣40℃~ ﹢70℃(工业级);﹣55℃~ ﹢85℃(军品级) |
储存温度 |
﹣55℃~ ﹢125℃ |
工作高度 |
> 10000m(军品级) |
工作湿度 |
5% ~ 95% (军品级) |
振动 |
国军标 GJB150.16A-2009 中履带车环境 |
冲击 |
半正弦波/三轴/30g/11ms |
可靠性 |
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数据存储时间 |
10年 |
MTTR |
< 20 分钟 |
MTBF |
10,000,000 小时 |
重量 |
≤100g |
订货信息:
CFD-SATA25F510-xGy-z
CFD-SATA25F530-xGy-z
x 表示 GB 以为单位的容量;
y 表示NAND Flash 类型:M(MLC)、S(SLC);
z 表示工作温度。I2 为工业级,M 为军品级
存储介质 | 存储容量GB | ||
SLC | 60 | 120 | 240 |
MLC | 120 | 240 | 480 |