北京石竹科技发布最新 SATA-E 系列电子盘产品

 

        北京石竹科技于2012年3月19日正式对外发布SATA电子盘最新系列产品SATA-E。该系列产品相对于之前的电子盘，具有更高的读写速度，最高可达260MB/s；更大的容量，最高可达512GB。SATA-E解决了一些客户对高读写带宽、大存储容量的高可靠性、高安全性的问题。

        SATA-E是标准SATAⅡ接口，兼容SATAⅠ接口，具有三大核心技术：DuraWrite技术；安全擦除；掉电保护。

• DuraWrite技术

SATA-E系列电子盘独有的DuraWrite技术，通过特殊的数据缩量算法，将写入放大率降低50%。经测试得出，完整安装Windows 7和Office 2007需要写入25GB的数据，但通过DuraWrite技术，实际写入闪存的数据只有11GB，因此在进行读写操作时，可大幅提升传输速度，减小了闪存的实际磨损程度，间接延长了MLC的写入次数，几乎与SLC的写入次数相当。

• 安全擦除

SATA-E系列电子盘具有三种安全擦除功能，分别是加密擦除、加密和物理块擦除、军级擦除，擦除程度依次加强。这三种级别的安全擦除均可彻底擦除盘中的数据，保证数据擦除后无法修复，有效防止数据泄漏，充分保证用户数据的安全性。

 

加密擦除：主要擦除SSD控制器的各类映射表，如坏块管理表、动态映射表、静态映射表、碎片回收表等，通过擦除NAND Flash的各类映射表，造成数据完全不可恢复，擦除时间 < 4s。执行加密擦除后，映射数据完全丢失，盘可以继续使用。

加密和物理块擦除：除进行加密擦除外，还对所有的NAND Flash Block执行Erase操作，保证所有NAND Flash存储单元值恢复为出厂状态，即0XFF，擦除速度约3GB/s。执行加密和物理块擦除后，映射数据及物理块数据完全丢失，盘可以继续使用。

军级擦除：军级擦除由加密擦除、物理块擦除、NAND Flash存储单元OverWrite组成，加密擦除和物理块擦除同上，NAND Flash存储单元OverWrite是向NAND Flash的每一个Page写入特定的数据或随机的数据。执行军级擦除后，映射数据完全丢失，NAND Flash所有Block执行过Erase操作，NAND Flash所有Page执行了特定或随机数据写操作，盘可以继续使用。

• 掉电保护

SATA-E系列电子盘具有掉电保护功能，在车载、舰载、机载等恶劣复杂应用环境中，容易出现电源不稳等问题，经常导致盘中的数据丢失、受损而无法打开文件，甚至设备因此而无法启动等问题。SATA-E电子盘内部的掉电保护电路，可以确保电子盘内数据是安全的、完整的，从而保证了您的设备正常启动及运行，详见“SATA-E电子盘掉电测试报告”。

 

 

 

SATA-E电子盘典型特点：

 

• 安全可靠性

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• 环境参数

工作温度	-55℃～+85℃（军品级）
	-40℃～+85℃（工业级）
	0℃～+70℃（商业级）
存储温度	-55℃～+125℃
功耗	睡眠<0.09W；典型<0.9W
工作高度	>10000m
数据保存时间	10年
振动	0.04g2Hz（20Hz～2000Hz，随机，3轴）
冲击	30g

 

        ●   电气参数

 

 

接口	SATA II/3.0Gbps ; SATA I /1.5Gbps
操作系统	Windows XP/Windows 7/Linux/VxWorks
电源	+5V

 

 

 

        相对于国内外其他电子盘，SATA-E电子盘具有高性能的持续读写带宽，实测速度约260MB/s，在安全擦除、掉电保护、AES数据加密等功能支持上更加全面，工作温度范围更宽，军品级工作温度-55℃～+85℃，尤其适合对数据安全性有特殊要求的行业应用。

相关文档：SATA-E 电子盘掉电测试报告

相关文档：SATA-E电子盘安全擦除测试报告

相关产品：XMC/PMC物理自毁电子盘

ECC	每512字节扇区最高可纠错24字节
AES加密	128位AES加密
MTTR	<20分钟
MTBF	10,000,000小时